肖特基二極管和齊納管型號特性

肖特基二極管是半導體器件，以其發明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，sbd是肖特基勢壘二極管（schottkybarrierdiode，縮寫成sbd）的簡稱。
sbd不是利用p型半導體與n型半導體接觸形成pn結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，sbd也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
肖特基二極管是問世的低功耗、大電流、速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4v左右，而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優良特性是快恢復二極管的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。